ASML EUV Challenge

＼ASML Tech｜なぜHigh-NA EUVで高い生産性を実現できる？／ 半導体技術はトランジスタをより小さく、より多くのトランジスタをシリコンウェハに集積する過程で進歩してきました。多くの機能と性能を盛り込んだ半導体チップを大量生産することで、手頃な価格で半導体チップを提供できるようになったのです。 ASMLでは、8ナノメートルの高精細のパターンを描けるHigh-NAのEUVリソグラフィシステム「TWINSCAN EXE:5000」を提供。このEXEシステムは、高速で稼働するステージが搭載されていて、高い生産性を実現しています。 【ポイント】 ✅アナモルフィック光学系により、露光フィールドのサイズは従来のNXEシステムの半分に。 ✅フィールドが半分になったため、理論的には1枚のウェハのパターンには2倍の時間がかかることになる。 ✅EXEシステムのレチクルステージはNXEの4倍の速度（32g）で加速することでこの問題を回避。 ✅EXEは1時間あたり185枚以上のウェハを露光可能。2025年には1時間あたり220枚を目指している。 👇詳しくはこちら｜High-NA EUVの5つの特

Current challenges and opportunities for EUV lithography